• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Диссертации, представленные на защиту и подготовленные в НИУ ВШЭ

Сортировка:по дате защитыпо имени научного руководителяпо имени соискателя

Показаны работы: 1 - 2 из 2

Спиновые экситоны и экситонные комплексы в квантовых ямах в условиях квантового эффекта Холла на факторе заполнения 𝜈 = 2Кандидатская диссертацияУченая степень НИУ ВШЭ

Соискатель:
Кузнецов Владимир Альбертович
Руководитель:
Кулик Леонид Викторович
Дисс. совет:
Совет по физике
Дата защиты:
12/21/2021
В работе представлены результаты изучения долгоживущих спиновых экситонов в двумерной электронной системе в высокоподвижных GaAs квантовых ямах в условиях квантового эффекта Холла. Эти экситоны были исследованы с помощью фотолюминесценции и фотоиндуцированного резонансного отражения. По спектрам фотолюминесценции обнаружены трионы и их возбуждённые состояния, показано макроскопическое растекание экситонов на расстояние до 400 мкм, исследованы свойства конденсата в стационарном состоянии.
Диссертация [*.pdf, 6.76 Мб] (дата размещения 9/22/2021)
Резюме [*.pdf, 284.21 Кб] (дата размещения 9/22/2021)
Summary [*.pdf, 297.94 Кб] (дата размещения 9/22/2021)

Электронный транспорт, локализация и статистика протекания заряда в квазиодномерных проводникахКандидатская диссертацияУченая степень НИУ ВШЭ

Соискатель:
Петруша Станислав Владимирович
Дисс. совет:
Совет по физике
Дата защиты:
9/11/2020
Основной целью данной работы является исследование краевой электрической проводимости в квантовых ямах теллурида ртути для получения доказательств или противоречий геликальной природе краевых состояний. Научная значимость полученных результатов заключается в полученной новой информации относительно свойств электронного транспорта в квантовых ямах теллурида ртути, имеющей критическую важность для решения фундаментального вопроса о том, является ли данная система реализацией концепции двумерного топологического изолятора, а также вопроса о неизвестном эффективном механизме рассеяния, нарушающем топологическую защиту.С точки зрения практической значимости, крайняя чувствительность краевых состояний двумерных топологических изоляторов к магнитному полю может быть использована для создания датчиков/приборов, работа которых основана на данном свойстве.
Диссертация [*.pdf, 6.59 Мб] (дата размещения 7/10/2020)
Резюме [*.pdf, 217.81 Кб] (дата размещения 7/10/2020)
Summary [*.pdf, 197.12 Кб] (дата размещения 7/10/2020)